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IRFR3806TRPBF  与  IPD127N06L G  区别

型号 IRFR3806TRPBF IPD127N06L G
唯样编号 A36-IRFR3806TRPBF A-IPD127N06L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
136 W - Pd - 功率消耗
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.8mΩ@25A,10V 12.7mΩ
上升时间 - 14 ns
公司名称 - OptiMOS
标准包装数量 - 2500
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 D-Pak -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 43A 50A
配置 - Single
标准断开延迟时间 - 39 ns
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 13 ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V -
高度 - 2.3mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 71W(Tc) 136W
典型关闭延迟时间 - 39ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® IPD127N06
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1150pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 9ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,345 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.443
100+ :  ¥2.651
1,000+ :  ¥2.31
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR3806TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

¥3.443 

阶梯数 价格
20: ¥3.443
100: ¥2.651
1,000: ¥2.31
1,345 当前型号
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